秦皇島本征晶體科技有限公司 晶體原料制備、晶體生長、元件初加工、精加工、鍍膜和器件產業鏈閉環
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你們能提供什么質量的產品?

作者:本征晶體 時間:2021-10-22 瀏覽次數:0

CaF2材料可提供IR&UV材料生長方法:下降法晶體取向:、、透射帶:0.13-10.5μm透射率:>94%@0.13-10.5μm二次退火應力94%@0.35-10.8μmMgF2生長方式:下降法& ...

CaF2材料可提供IR&UV材料生長方法:下降法晶體取向:<111>、<100>、<110>透射帶:0.13-10.5μm透射率:>94%@0.13-10.5μm二次退火應力<6nm/cm
BaF2 IR(高透光率)和閃爍(低背景)材料可選 生長方式:下降法 單晶直徑:D190量產,年產量可達30噸 晶向:<111>、<100>、<110>;透射帶:0.15-14μm 透射率:>94% @ 0.35-10.8μm
MgF2 生長方式:下降法&提升法 材料特性:無鉛 單晶直徑:提拉法可提供最大D200單晶 晶向:<100>、<001>等;透射帶:0.12-9μm 透射率:> 94% @ 5μm > 85% @ 0.2μm 低應力<2nm/cm 良好的光學均勻性,折射率變化ΔN<5*10-6
LiF 生長方法:下降法直徑:多晶較小D150 單晶小于 D100 晶體取向:<100>、<111>、<200>;透射帶:0.105-7.4μm 透射率:1.392 @ 0.6μm 1.37327 @ 2.5μm
單晶Si 生長方式:CZ 直徑:小于D350 晶體取向:<111>、<100> 電阻率:5-20Ω/cm 穩定量產>6000Ω/cm 少量工藝>10000Ω/cm 傳輸帶:1- 10μm 30-300μm 純度:9N 單晶 Ge 生長方式:CZ N 型 直徑:D150 晶體取向:<111>,<100> 電阻率:5-20Ω/cm 透射帶:1-10μm 30-300μm 純度:9N
成分:毛坯板:可完成各種平板、臺階、孔、異形板切割 粗糙度加工能力:(需確認) 直徑:D2-D350mm 厚度:0.12-200mm 年產量300萬片
窗口加工能力:尺寸:D2-350mm 厚度:0.12-60mm 精度:10-5 1/10L@633nm 平行:0.01mm 年產量:150萬片
鏡片加工能力:尺寸:D2-320mm 精度:10-5 1/10L@633nm 偏心距:0.5' 年產量:180 萬片
棱鏡加工能力:精度:10-5 1/4L@633nm 角精度:0.5' 年產量:300,000

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